功能描述：射频双极小信号晶体管 NPN High Frequency
RoHS：否
制造商：NXP Semiconductors
配置：Single
晶体管极性：NPN
最大工作频率：7000 MHz
集电极—发射极最大电压 VCEO：15 V
发射极 - 基极电压 VEBO：2 V
集电极连续电流：0.15 A
功率耗散：1000 mW
直流集电极/Base Gain hfe Min：
最大工作温度：+ 150 C
封装 / 箱体：SOT-223
封装：Reel
NE85639R-T1
NE85639R-T1-A
NE85639-T1
NE85639-T1-A
NE856M02-AZ
NE856M02-T1-AZ
NE856M03
NE856M03-A
NE856M03-T1
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